Samsung запустила в массовое производство модули DRAM на базе самых емких чипов DDR2

3 апрель, 2008 - 08:35

Samsung Semiconductor, ведущий производитель устройств DRAM, сообщил о начале широкомасштабного выпуска самой высокоплотной и энергоэффективной памяти для серверов. Полностью буферизованные модули DIMM, базирующиеся на 2-гигабитных микросхемах DDR2, изготовленых с уровнем детализации 60 нм, обеспечивают до 50% экономии энергии при напряжении питания 1,55 В - наилучший показатель для серверных компонентов DDR2, доступных в настоящее время.

Анонсированные модули выпускаются в версиях емкостью 4 и 8 ГБ. Кроме того, Samsung предлагает устройства с применением одногигабитных низковольтных чипов, что позволяет сформировать полный ассортимент серверных модулей DDR2 номиналом от 1 до 8 ГБ.

Согласно данным калифорнийской аналитической фирмы DE DIOS&ASSOCIATES, специализирующейся на индустрии памяти, на DDR2 сегодня приходится почти 95% памяти, используемой в корпоративных системах. Новая продукция Samsung ориентирована на нужды энергоэкономичного сегмента серверного рынка, где с 2008 по 2009 гг. ожидается 110%-ный рост в категории 4 ГБ и выше.