Samsung выпускает чип 4 Гб DDR3 с уровнем детализации 50 нм

Samsung Electronics объявила о выпуске первого в мире 4-гигабитного чипа DDR3 DRAM, произведенного с использованием 50-нанометрового техпроцесса. В сентябре прошлого года корейская компания сообщила о разработке 20-нанометровой микросхемы DDR3 емкостью 2 Гб и теперь, спустя пять месяцев, обладает самым широким в индустрии ассортиментом высокопроизводительной памяти DDR3.

Сообщается, что анонсированое решение позволит, благодаря своей емкости и энергоэффективности, уменьшить количество серверов в ЦОД и сэкономить на электроэнергии. Рабочее напряжение чипа составляет 1,35 В - на 20% меньше чем у стандартных микросхем DDR3. Максимальная скорость передачи данных у новинки равна 1,6 Гб/с.

На базе новинки могут создаваться 16-гигабайтовые регистровые встраиваемые модули памяти для серверов (RDIMM), восьмигигабайтные небуферизированные планки UDIMM для ПК и рабочих станций, а также модули SODIMM для лэптопов. Метод монтажа dual-die позволяет довести емкость модулей до 32 ГБ.

При равной емкости в модулях на базе новых чипов используется вдвое меньше микросхем, чем раньше, благодаря чему энергопотребление уменьшается на 40%.

По данным IDC, доля DDR3 на рынке DRAM составит 29% в 2009 и 75% в 2011 г. При этом, чипы DDR3 емкостью 2 Гб и больше будут отвечать за 3% продаж в 2009 и 33% в 2011 г.