Samsung Electronics сообщила, о намерена в текущем месяце увеличить объем производства наиболее совершенной из предлагаемой сегодня системной памяти, DDR3. Этот шаг продиктован стремлением удовлетворить всплеск спроса, связанный с выходом семейства процессоров Xeon 5500 корпорации Intel.
Память DDR3, изготавливаемая на предприятиях Samsung с уровнем детализации 50 нм, позволяет OEM-партнерам проектировать серверы, способные использовать до 192 ГБ RAM на одну систему (12х16 ГБ). По сравнению с предшествовавшей технологией, DDR2, она обеспечивает, по меньшей мере, 60%-ное улучшение в потреблении энергии, наряду с удвоением системной производительности.
Благодаря пропускной способности до 1333 Мб/с этот тип памяти удовлетворяет требования к быстродействию широкого круга серверных приложений, включая видео по запросу, потоковую трансляцию медиа-контента, виртуализацию и обработку онлайновых транзакций.
Для работы с платформой Intel 5500 сертифицировано сорок DDR3-решений Samsung класса 50 нм. В их числе чипы DRAM емкостью 1 и 2 Гб, а также регистровые модули DIMM номиналом 1, 2, 4, 8, 16 ГБ и небуферизованные DIMM 1, 2 и 4 ГБ.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
