Компания Samsung сообщила, что ей удалось разработать новый тип мобильной памяти, ориентированной на применение в составе смартфонов и планшетов. Новинка обеспечивает более широкую пропускную способность памяти, чем существующие решения.
Память LPDDR2 (Low Power Double Data Rate 2) RAM содержит в 16 раз больше контактов подключения чипа - в новой разработке Samsung их число выросло до 512 контактов по сравнению с 32 в стандартной памяти. В результате, пропускная способность увеличилась в 8 раз - с 1,6 ГБ/с до 12,8 ГБ/с. Несмотря на увеличение пропускной способности, новинка обладает низким уровнем энергопотребления. По заверениям Samsung, энергопотребление LPDDR2 на 87% ниже, чем у стандартной.
Первоначально память LPDDR2 будет изготавливаться в виде чипов емкостью 1 Гб (128 МБ) по нормам 50-нанометрового технологического процесса. Точные сроки поступления на рынок таких устройств пока не сообщаются. Однако отмечается, что в 2013 году Samsung намерена приступить к поставкам чипов памяти LPDDR2, изготавливаемых по нормам 20-нанометрового технологического процесса, обладающих емкостью 4 Гб (512 МБ).
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +22 голоса |
|
