| 0 |
|
По заявлению Samsung Electronics, ею разработана первая в индустрии технология выпуска монолитных чипов емкостью 4 Гбит типа LPDDR3 (low power double-data-rate 3) с допуском 30 нм, которая найдет применение в таких мобильных устройствах, как смартфоны и планшеты. Как было отмечено во время представления этой разработки на восьмом ежегодном форуме Samsung Mobile Solutions, LPDDR3 DRAM отвечает требованиям по производительности современных процессоров, так как она обеспечивает скорость передачи до 1600 Mbps. А это примерно в 1,5 раза выше, чем у используемой ныне LPDDR2 с ее 1066 Mbps. Кроме того, по заявлению Samsung, новый компонент потребляет на 20% меньше своего предшественника.
Предусмотрена возможность стекирования двух чипов емкостью по 4 Гбит каждый, что позволит создать модуль LPDDR3 объемом 1 ГБ с производительностью 12,8 Гбайт/с.
Samsung собирается начать отгрузки первых образцов новых чипов в следующем квартале, а в готовых устройствах они появятся в начале следующего года. Ожидается, что к этому времени максимальный объем памяти в мобильных устройствах высокого уровня увеличится с нынешнего одного до двух гигабайт. Для достижения такого объема будет достаточно использовать четыре чипа 4 Гбит LPDDR3.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
