Компания Samsung Electronics первой в мире начала массовое производство 2-гигабитных чипов Green DDR3 с применением 30-нанометровых технологических норм.
Сообщается, что новые микросхемы имеют наивысшую производительность в индустрии. Серверные варианты модулей памяти обеспечивают пропускную способность 1866 Гб/с при напряжении 1,35 В, тогда как для стандартных модулей эти показатели равны 2133 Гб/с и 1,5 В, соответственно – они в 3,5 раза превышают значения для DDR2 и в 1,6 раза – для 50-нанометровой DDR3.
Чипы Green DDR3 30 нм демонстрируют энергопотребление на 20% ниже, чем DDR3 50 нм, что будет полезно для серверов следующего поколения, оптимизированных под облачные вычисления и виртуализацию. При этом выигрыш в быстродействии составляет 155%.
К концу года Samsung планирует выпустить микросхему DDR3 с уровнем детализации 30 нм объемом 4 Гб и вскоре представит модули RDIMM, UDIMM и SoDIMM различной емкости на базе новых чипов.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +22 голоса |
|
