Модуль памяти DDR3 с уровнем детализации класса 40 нм экономит до 40% энергии в сравнении с традиционной регистровой памятью. Уже прошедший тщательное тестирование у избранных заказчиков Samsung Electronics, 8-гигабайтный RDIMM (registered dual inline memory module) обеспечивает высокую производительность, отчасти, благодаря использованию трехмерной технологии компоновки чипов, известную под названием TSV (through silicon via).
Применение TSV позволило увеличить плотность DRAM более чем на 50% сделав новое предложение корейского чипмейкера особенно привлекательным для внедрения в высокопроизводительные серверные системы. Для этой технологии прогнозируется широкое распространение с 2012 г. Заменяя провода на каналы, просверленные в подложках и заполненные медью она существенно сокращает длину соединений позволяя многочиповому модулю функционировать практически как одна микросхема.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
