Компания Samsung Electronics объявила о завершении разработки первого в индустрии модуля DDR4 DRAM, изготовленного с применением техпроцесса 30-нанометрового класса (производитель не сообщает точного значения использованного им допуска, лишь задает его границы от 30 до 39 нм).
Новинка относится к «зеленой» линейке и поддерживает полосу пропускания 2133 Гб/с при рабочем напряжении 1,2 В, в то время как для модулей DDR3 DRAM, произведенных по 30-нанометровым нормам, эти значения составляют 1,6 Гб/с и от 1,35 до 1,5 В. Если сравнивать модули для ноутбуков, то энергопотребление у новой памяти на 40% ниже.
Сообщается, что в разработке использована технология Pseudo Open Drain (POD), которая применялась для высокопроизводительной графической памяти DRAM и позволяет DDR4 DRAM потреблять лишь половину тока в сравнении с DDR3 при выполнении операций чтения и записи данных.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
