Samsung представила HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 і Detachable AutoSSD

27 октября 2023 г., 10:35

На конференції Memory Tech Day, організованій Samsung Electronics, компанія поділилася інформацією про такі новинки, як HBM3E Shinebolt, LPDDR5X CAMM2 і Detachable AutoSSD.

Юнг-Бе Лі, президент і глава підрозділу пам'яті компанії Samsung Electronics, у своєму програмному виступі розповів про те, як Samsung долатиме виклики епохи гіпермасштабування завдяки інноваціям у сфері нових транзисторних структур і матеріалів. Наприклад, наразі Samsung готує нові 3D-структури для суб-10-нанометрової (нм) пам'яті DRAM, що дасть змогу наростити місткість одного кристала понад 100 Гбіт. Слідом за DRAM класу 12 нм, масове виробництво якої почалося в травні 2023 року, Samsung працює над наступним поколінням DRAM класу 11 нм, яке забезпечить найвищу щільність у галузі.

Також тривають розробки в галузі флешпам'яті NAND, які дадуть змогу зменшити розміри комірок і вдосконалити технології травлення отворів у каналах, з метою створення 1000-шарової вертикальної NAND (V-NAND). Наразі триває розробка V-NAND дев'ятого покоління, яка забезпечить найвищу в галузі кількість шарів на основі дворівневої структури. Компанія отримала функціональний чіп для нової V-NAND і планує почати її масове виробництво на початку наступного року.

"Нова ера гіпермасштабного AI поставила галузь на перехрестя, де перетинаються інновації та можливості, являючи собою час із потенціалом для великого стрибка вперед, попри труднощі", - сказав Юнг-Бе Лі. "Завдяки безмежній уяві та невтомній наполегливості ми збережемо своє лідерство на ринку, впроваджуючи інновації та співпрацюючи із замовниками та партнерами для створення рішень, що розширюють можливості".

Сучасні хмарні системи розвиваються в напрямку оптимізації обчислювальних ресурсів, для чого потрібна високопродуктивна пам'ять, здатна працювати з великою місткістю, пропускною спроможністю і можливостями віртуального зберігання даних. Спираючись на досвід Samsung у комерціалізації першої в галузі пам'яті HBM2 і відкритті ринку HBM для високопродуктивних обчислень (HPC) у 2016 році, компанія представила нове покоління пам'яті HBM3E DRAM під назвою Shinebolt.

Shinebolt від Samsung буде використовуватися в додатках AI нового покоління, підвищуючи сукупну вартість володіння (TCO) і прискорюючи навчання і виведення AI-моделей в центрі обробки даних. HBM3E має швидкість 9,8 Гбіт/с на контакт, що означає можливість досягнення швидкості передавання даних, що перевищує 1,2 ТБ/с.

Для забезпечення вищих шарів і поліпшення теплових характеристик Samsung оптимізувала технологію непровідних плівок (NCF), щоб усунути проміжки між шарами чипа і максимально підвищити теплопровідність.

Наразі продукти Samsung HBM3 8H і 12H перебувають у серійному виробництві, а зразки для Shinebolt вже відправляють замовникам. Компанія також планує запропонувати замовну послугу "під ключ", що об'єднує HBM нового покоління, передові пакувальні технології та пропозиції контрактного виробництва.

Серед інших продуктів, представлених на заході, - 32-Гбіт DDR5 DRAM з найвищою в галузі місткістю, перша в галузі 32-Гбіт GDDR7 і петабайтний PBSSD, який значно розширює можливості зберігання даних для серверних застосунків.

Для опрацювання завдань, що вимагають великих обсягів даних, сучасні технології штучного інтелекту переходять до гібридної моделі, в якій робоче навантаження розподіляється між хмарними й граничними пристроями. У зв'язку з цим компанія Samsung представила низку рішень у сфері пам'яті, які підтримують високопродуктивні, містки, малопотужні та малогабаритні формфактори на кордоні.

Крім першої в галузі LPDDR5X CAMM21 з пропускною спроможністю 7,5 Гбіт/с, яка, як очікують, стане справжнім переломним моментом на ринку DRAM нового покоління для ПК і ноутбуків, компанія також продемонструвала LPDDR5X DRAM з пропускною спроможністю 9,6 Гбіт/с, LLW2 DRAM, оптимізовану для штучного інтелекту на пристроях, універсальну флешпам'ять нового покоління (UFS) і високопродуктивний SSD BM9C1 з чотирьохрівневими комірками (QLC) для ПК.

З розвитком рішень для автономного водіння зростає попит на високошвидкісну і містку пам'ять DRAM і твердотілі накопичувачі із загальним доступом, які спільно використовують дані з декількома системами на кристалі (SoC). Компанія Samsung представила свій знімний накопичувач Detachable AutoSSD, який забезпечує доступ до даних з одного SSD на декількох SoC через віртуальне сховище.

Detachable AutoSSD підтримує швидкість послідовного читання до 6500 МБ/с за місткості 4 ТБ. Завдяки тому, що SSD виконаний у знімному формфакторі, він полегшує модернізацію та налаштування для користувачів і виробників автомобілів. Samsung також продемонструвала рішення для автомобільної пам'яті, як-от високошвидкісні GDDR7 і LPDDR5X з більш компактними розмірами корпусу.