+11 голос |
Компания Samsung Electronics первой в индустрии объявила о начале производства чипов LPDDR2 1066 МГц емкостью 4 Гб на основе техпроцесса 20 нм.
Данные чипы памяти нацелены в первую очередь на сегмент смартфонов и планшетов. Вероятнее всего LPDDR2 1066 МГц по технологии 20 нм будет использоваться в высокоуровневых устройствах и поставляться наборами из четырех микросхем суммарной емкостью 2 Гб.
«Samsung в прошлом году вышла на массовый рынок с чипами 4 Гб DRAM выполненными по технологии 30 нм, и вот теперь мы вывели устройства, произведенные по технологии 20 нм», заявил Ванхун Хонг (Wanhoon Hong), исполнительный вице-президент подразделения, отвечающего за выпуск чипов памяти Samsung Electronics. «Во втором полугодии этого года мы ожидаем значительного увеличения доли представленных решений в общем выпуске DRAM», продолжил он.
Переход на новый технологический процесс – с 30-нм на 20-нм – позволил уменьшить толщину сборки до 0,8 мм., т.е. почти на 20%. Кроме сокращения размеров новые устройства потребляют меньше электроэнергии.
Планшеты и смартфоны сегодня активно переводятся на использование четырехъядерных процессоров, что выдвигает и новые требования для используемой памяти. Новинка Samsung нацелена на решение именно этих проблем.
По оценкам IHS iSuppli, продажи 4 Гб LPDDR2 будут постоянно расти и займут приблизительно 13% рынка DRAM в 2012 г., а в следующем году их доля достигнет 49% с ростом до 63% в 2014 г.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
+11 голос |