Samsung Electronics начала массовое производство первых чипов оперативной памяти DDR4 DRAM по 10-нанометровому техпроцессу. По сравнению с предшественниками энергопотребление чипов снижено на 10–20%, а число кристаллов на подложке увеличено на 30%, что позволяет снизить себестоимость модулей памяти.
Сейчас Samsung применяет 10-нм технологию для производства чипов DDR4 емкостью 8 Гб. На их основе будут выпускаться модули оперативной памяти, поддерживающие скорость передачи данных до 3200 Мб/с (на 30% быстрее, чем 20-нм память DDR4 DRAM). Будут доступны 10-нм модули памяти емкостью от 4 до 128 ГБ, которые найдут применение в самых разных устройствах, от ноутбуков до серверов.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
