Samsung начала серийное производство первых чипов мобильной памяти LPDDR4 объемом 8 Гб по 20-нанометровому техпроцессу. Используя новые чипы, можно выпускать модули памяти LPDDR4 объемом 4 ГБ.
Как отмечают в компании, по плотности и производительности новинка вдвое превосходит чипы LPDDR3 плотностью 4 Гб. Скорость передачи данных новинки достигает 3200 Мб/с, чего достаточно для записи и воспроизведение 4К-видео или серийная съемка с разрешением более 20 Мп.
Напряжение питания памяти LPDDR4 снижено до 1,1 В, что делает ее более энергоэффективной, чем предшественники. Дополнительно уменьшить энергопотребление и обеспечить работу с высокой скоростью при низком напряжении позволило использование технологии LVSTL (low-voltage swing-terminated logic).
Samsung уже начала поставки модулей памяти LPDDR4 объемом 2 и 3 ГБ, в которых используются чипы плотностью 8 и 6 Гб/с соответственно. Модули объемом 4 ГБ будут доступны в начале 2015 г.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
+22 голоса |