+11 голос |
Samsung Electronics начала серийное производство регистровых модулей памяти DDR4 RDIMM емкостью 64 ГБ, в которых впервые в индустрии, как заявляют в компании, используется технология упаковки 3D TSV (three dimensional through silicon via). Новые высокопроизводительные и высокоплотные модули предназначены для использования в корпоративных серверах и для обеспечения работы облачных приложений в центрах обработки данных.
Один новый модуль включает 36 чипов DDR4 DRAM, каждый из которых в свою очередь состоит из четырех 4-гигабитных кристаллов. Эти чипы имеют низкий уровень энергопотребления и производятся с использованием 20 нм техпроцесса.
Технология 3D TSV является следующим шагом в развитии технологий памяти после чипов 3D Vertical NAND (V-NAND). В то время как в 3D V-NAND используются вертикальные структуры массивов ячеек внутри монолитного кристалла, то в 3D TSV позволяет соединять между собой вертикальные слои кристаллов.
Для создания структуры 3D TSV кристаллы памяти изготавливаются толщиной несколько десятков микрон, после чего в них создаются сотни мельчайших отверстий. Они вертикально соединяются между собой с помощью электродов, которые пропускаются через эти отверстия. Благодаря этому новые модули имеют в два раза большую производительность по сравнению с обычной памятью, энергопотребление снижается в два раза.
В будущем, по прогнозам Samsung, технология 3D TSV позволит соединять между собой еще больше слоев, что позволит создавать модули DRAM с более высокой плотностью.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
+11 голос |