`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Разработка KAUST сделает электронику более прозрачной

0 
 
Разработка KAUST сделает электронику более прозрачной

Полностью прозрачные электронные устройства были бы идеальным вариантом для ряда приложений, в частности, для цифрового взаимодействия с окружающей обстановкой в дисплеях дополненной реальности.

Нужным сочетанием электронных характеристик и прозрачности обладают сверхтонкие полупроводящие слои на базе дихалькогенидов переходных металлов (Transition Metal Dichalcogenide, TMD). Однако до сих пор такие монослои, например, дисульфида молибдена, нуждались в кремниевой подложке и металлических электродах, задерживающих свет.

Саудовские инженеры из Научно-технического университета им. Короля Абдуллы (KAUST) разработали решающую эту проблему стратегию. Она предусматривает интеграцию 2D-полупроводников с прозрачными металлоксидными контактами.

Преодолеть трудности, связанные с получением высококачественных монослоёв MoS2 на большой площади основы, учёные смогли, внедрив интерфейсную прослойку, стимулирующую рост TMD. Также был разработан процесс переноса полученных монослоёв в воде с кремниевых на другие подложки — стеклянные или пластиковые. Металлоксидные контакты команда KAUST выращивала атомно-слоевым осаждением на 2D-полупроводнике уже после его переноса на прозрачную основу.

Авторы продемонстрировали серию созданным таким способом двумерных электронных схем и устройств: транзисторов, инверторов, выпрямителей и сенсоров. В качестве материала электрических контактов в них использовался легированный алюминием оксид цинка (AZO) — дешёвый заменитель повсеместно применяемого сегодня оксида индия/олова (ITO).

По итогам испытаний эти устройства превзошли свои аналоги с непрозрачными металлическими контактами (электродами базы, источника и стока). Прозрачные транзисторы также показали самое низкое напряжение включения среди всех TFT на базе MoS2, изготовленных химическим осаждением в вакууме.

На очереди у авторов создание более сложных схем для поверки универсальности и масштабируемость их технологии.

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT