`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Тимур Ягофаров

Пора привыкать к новому названию – ReRAM

+88
голосов

Открытый совсем недавно «четвертый элемент», получивший название мемристор, вскоре может занять свое место в электронике. Так например, Panasonic планирует массово выпускать ReRAM уже в 2012 г. Об этих планах компании сообщило издание Nikkei business daily. Выпуск чипов будет организован на заводе компании в префектуре Тояма, причем опытные партии небольшого объема могут появиться еще в конце нынешнего года.

Напомним, что ReRAM (resistive random-access memory) базируется на мемристорах и является энергонезависимой памятью. По своему быстродействию она на порядок быстрее флэш-памяти и при этом потребляет в десять раз меньше электроэнергии. Поэтому производитель заявил, что ориентируется в первую очередь на применение ее в портативной электронике, где более важен вопрос обеспечения энергоэффективности. А благодаря применению ReRAM общее потребление устройства в режиме «сна» может быть уменьшено на две трети.

Аналогичные работы по созданию коммерческих образцов ReRAM ведутся также Toshiba и Samsung Electronics, а Elpida Memory и Sharp объединили для этого свои усилия. Совместно ведут работы в области ReRAM и Hynix Semiconductor с HP, исследователям которой и принадлежит авторство в создании мемристора.

А на днях главный исследователь HP Стенли Вильямс (Stanley Williams), который как раз и является изобретателем мемристора, опубликовал результаты своих работ по изучению лежащих в его основе физических процессов: «Мы обнаружили, что электрическое поле и ток действуют совместно, приводя к тому, что устройство памяти переключается очень быстро и потом может сохранять свое состояние неограниченно долго. Переключение заключается в том, что под воздействием напряжения в материале происходит миграция кислородных вакансий, и то же время ток разогревает его до 300°С, превращая пленку из аморфной в кристаллическую».

Мемристор является четвертым типом основных пассивных элементов в электрических цепях наряду с сопротивлением, емкостью и индуктивностью. У мемристора может быть два состояния – с высоким или низким сопротивлением из-за добавления и выведения из тонкой пленки оксида кислородных вакансий.

В исследованиях HP использовалась пленка оксида титана, которая изучалась с помощью рентгеновского излучения. В результате были получены трехмерные схемы распределения атомной структуры, химического состава и температуры. И впервые стало понятно, что нагрев зоны рядом с нижним концом электрода во время переключения состояния мемристора оказался достаточным, чтобы приводить к кристаллизации оксида. После выведения кислородных вакансий (1) или после их введения (0) из/в зону размерами 1х2 нм пленка охлаждается и остается в своем новом состоянии неограниченно долго.

«В наших тестах мы производили переключение этого устройства около 30 млн раз и не наблюдали никакого уменьшения его способности хранить информацию», - заявил Стенли Вильямс.

Пора привыкать к новому названию – ReRAM

С помощью рентгеновских лучей исследовалась область в 100 нм с повышенной концентрацией кислородных вакансий (справа, показано голубым), где осуществлялось переключение мемристора. Окружающая эту зону вновь разработанная структура (красное) служила термометром, который показывал, насколько горячим было устройство во время записи и чтения.

Вообще совпадение по времени этих двух сообщений вызвало у меня улыбку. Представляете, исследователи еще не до конца поняли, что на физическом уровне происходит в мемристорах, а их уже спешат коммерциализировать. А как считаете вы, это нормально?

+88
голосов

Напечатать Отправить другу

Читайте также

Конечно нормально.
Не обязательно знать про реакцию кислорода с углеродом, чтоб жарить на огне пищу.

Переключение заключается в том, что под воздействием напряжения в материале происходит миграция кислородных вакансий, и то же время ток разогревает его до 300°С, превращая пленку из аморфной в кристаллическую».

Жареная ЛАДОШКА и ЖАРЕНОЕ УШКО ПОЛЬЗОВАТЕЛЕЙ МЕМИСТОРОВ.
А че мелочиться? 500С чтобы наверняка прожарился обладатель сего девайса!

странно что сравнивают с флеш. если мне не изменяет память, флеш не потребляет энергию при хранении. поэтому увеличить standby time не удастся. А вот DRAM потребляет всегда и заменив её на эти "мемрики" можно выгадать что-то в богатых на память смартфонах и т.п.

флэш, вообще-то, тоже греется.
и потребляет при работе. и в телефоне оно ж не просто так...
Скорее всего, всю память телефона на это заменят.

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT