| 0 |
|
У межах участі у виставці Memcon 2024 компанія Samsung Electronics представила розширення портфеля модулів пам'яті Compute Express Link (CXL).
"Інновації в галузі AI не можуть тривати без інновацій у сфері технологій пам'яті", - сказав Джин-Хьок Чой (Jin-Hyeok Choi), корпоративний виконавчий віцепрезидент Samsung Electronics. "Як лідер ринку пам'яті, Samsung пишається тим, що продовжує розвивати інновації - від найпередовішої в галузі технології CMM-B до таких потужних рішень пам'яті, як HBM3E, для високопродуктивних обчислень і вимогливих застосунків AI. Ми готові співпрацювати з нашими партнерами та обслуговувати наших клієнтів, щоб разом розкрити весь потенціал ери AI".
Підкреслюючи наростальний розвиток екосистеми CXL, компанія Samsung представила CXL Memory Module - Box (CMM-B), рішення для об'єднання пам'яті CXL DRAM. Samsung CMM-B може вміщати вісім пристроїв CMM-D формфактора E3.S і забезпечувати місткість до 2 ТБ. Величезний обсяг пам'яті, підкріплений високою продуктивністю - пропускною спроможністю до 60 ГБ/с і затримкою в 596 нс - може використовуватися в різних додатках, які потребують пам'яті великої місткості, як-от штучний інтелект, бази даних у пам'яті (IMDB), аналітика даних та інші.
Samsung у співпраці з компанією Supermicro продемонстрували перше в галузі рішення для пам'яті рівня стійки для високомасштабованої та композитної дезагрегованої інфраструктури. У ньому використовується CMM-B від Samsung для збільшення обсягу пам'яті та пропускної спроможності, що дає змогу центрам оброблення даних справлятися з вимогливими робочими навантаженнями, на відміну від стандартних архітектур, які не володіють необхідною гнучкістю й ефективністю для сучасних застосунків. Збільшений обсяг пам'яті та висока продуктивність (пропускна здатність до 60 ГБ/с на сервер) дають змогу розширити можливості різних застосунків, що потребують великої місткості пам'яті, як-от AI, IMDB, аналітика даних та інші.
Samsung і VMware by Broadcom також представили проєкт Peaberry, перше у світі рішення для багаторівневої пам'яті для гіпервізорів на базі FPGA під назвою CXL Memory Module Hybrid for Tiered Memory (CMM-H TM). Це гібридне рішення об'єднує носії DRAM і NAND у формфакторі Add-in Card (AIC) для розв'язання проблем управління пам'яттю, скорочення часу простою, оптимізації планування для багаторівневої пам'яті та максимізації продуктивності, при цьому значно знижуючи сукупну вартість володіння (TCO).
Крім того, Samsung продемонструвала технологію CXL Memory Module - DRAM (CMM-D), в якій використовується технологія DRAM Samsung, інтегрована з інтерфейсом відкритого стандарту CXL, що забезпечує ефективне з'єднання між процесором і пристроями розширення пам'яті з низькою затримкою. Минулого року компанія Red Hat вперше в галузі успішно протестувала пристрої CMM-D від Samsung за допомогою свого корпоративного програмного забезпечення. Зазначається, обидві компанії продовжать співпрацю в рамках Samsung Memory Research (SMRC) у розробці відкритого вихідного коду CXL і еталонних моделей, а також у партнерстві щодо низки інших продуктів для зберігання даних і пам'яті.
Samsung також продемонструвала новітній чип HBM3E 12H - першу у світі 12-стекову пам'ять HBM3E DRAM, що ознаменувала собою прорив із найвищою місткістю, коли-небудь досягнутою в технології HBM. У HBM3E 12H використовується передова технологія непровідної плівки з термічним стисненням (TC NCF), що дало змогу збільшити вертикальну щільність чіпа більш ніж на 20% порівняно з попередником, а також підвищити вихід продукції. Наразі Samsung проводить пробне постачання HBM3E 12H клієнтам і планує почати масове виробництво в першій половині цього року.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
