Компанія SK Hynix поділилася планами випустити нове покоління високошвидкісної пам'яті HBM3E, що розробляється нею, у 2024 році. Нагадаємо, що вперше пам'ять HBM вийшла на ринок у 2014 р. А зараз найбільш просунутою специфікацією є HBM3, яка забезпечує пропускну здатність 6,4 Гб/с на контакт. А оскільки в стеку 1024-розрядною шиною можна поєднати до 12 чіпів DRAM, сукупна продуктивність досягає 819,2 ГБ/с.
Про HBM3E поки відомо лише, що швидкість на контакт становитиме 8 Гб/с, а для 1024-розрядної шини сукупна пропускну здатність дорівнює 1 ТБ/с.
За повідомленням SK Hynix, пам'ять HBM3E буде вироблятися з використанням фірмової технології 1bnm (вузли класу 10 нм 5-го покоління), на якій зараз виробляються мікросхеми DDR5-6400. Зазначається, що ця технологія виробництва буде використана для виготовлення мікросхем пам'яті LPDDR5T, які поєднують високу продуктивність з низьким енергоспоживанням.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
