`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Артем Юрченко

NANDежная опора

+33
голоса

Все идет к тому, что в нынешнем году мировую полупроводниковую отрасль ожидает долгожданный рекорд — ее объем впервые преодолеет знаковый рубеж в 400 млрд долл. Главным же «виновником» нового достижения будет индустрия флэш-памяти NAND, которая, наряду с направлением DRAM, больше года отчитывается беспрерывным ростом в натуральном и денежном выражениях.

Судя по свежим аналитическим выкладкам Gartner, доходы глобального рынка полупроводниковых продуктов в 2017 г. составят не менее 401,4 млрд долл., увеличившись на 16,8% в годовом сопоставлении. Для сравнения, отметка в 300 млрд долл. была взята семь лет назад, а рубеж в 200 млрд долл. преодолен в уже далеком 2000 г. Согласны с экспертами из Стэмфорда и в IC Insights, по мнению сотрудников которой, при росте в 15% «YoY» реален выход индустрии на итоговый объем в размере 419,1 млрд долл. Более того, уже в 2021 г. станем свидетелями новой эпохальной вехи — общегодовая выручка впервые превысит полтриллиона долл.

Флэш-память NAND, спрос на которую превышает предложение уже шестой квартал кряду, является основным инициатором будущего достижения. На протяжении текущего года высокий интерес к ней со стороны заказчиков был продиктован преимущественно необходимостью увеличения среднего размера памяти в смартфонах, а также заметно выросшими объемами потребления NAND серверной индустрией и крупными потребителями корпоративных SSD. В то же время, со стороны производителей памяти необходимое увеличение объема выпуска чипов ограничивалось разгаром масштабного технологического перехода от 2D-NAND к 3D-NAND, протекающего гораздо медленнее, нежели ожидалось ранее. Однако уже в будущем году аналитики ожидают достижение первого за много месяцев рыночного баланса. По данным DRAMeXchange, поставки в битовом исчислении увеличатся не менее чем на 42,9% «YoY», тогда как рост спроса вряд ли перешагнет отметку в 38%.

NANDежная опора

В технологическом плане наиболее слабым местом последнего времени являлась уже упомянутая миграция производителей от плоской к вертикальной NAND. Всем игрокам за исключением Samsung этот процесс дается крайне сложно, а некоторых, к примеру TMC, даже заставил искать новых владельцев, ведь инвестиции в фабрику по выпуску 3D-NAND с месячной емкостью порядка 80-100 тыс. подложек в настоящее время оценивается не менее чем в 8 млрд долл. Тем не менее, в 2018 г. ключевые игроки отрасли смогут вывести свои мощности по выпуску 64- и 72-слойных чипов 3D-NAND на зрелый уровень. Как вполне закономерный итог, в следующем году доля вертикальной NAND в общемировом объеме производства памяти NAND превысит 70%, увеличившись с 50% в 2017 г.

Возвращаясь к конкурентной борьбе следует отметить, что на сегодняшний день Toshiba и Western Digital контролируют 34,4% глобальных производственных мощностей по выпуску памяти NAND, а за Samsung — 36,9%. Однако по итогам второго квартала месячный объем изготовления чипов 3D-NAND у Toshiba Memory Corporation составлял лишь 10-15% от общего, тогда как у корейцев этот показатель преодолел рубеж в 40%. Ожидается, что уже в третьей календарной четверти отметку в 40% от общего объема производства преодолеет направление 3D-NAND у стратегических партнеров Micron и Intel. Samsung же в третьем квартале уже приступила к массовому производству 64-слойных чипов 3D-NAND. В финальной четверти года свыше половины выпускаемой корейцами флэш-памяти будет относиться к 3D-NAND, а по итогам 2018 г. ее доля увеличится до 60-70%. Для SK Hynix основной в настоящее время является 48-слойная технология, однако большая часть производственных мощностей в будущем году будет настроена на выпуск чипов по 72-слойной технологии. Если сегодня в сегменте вертикальной NAND работают 20-30% производственных мощностей чипмейкера, то к концу будущего года будет взят рубеж в 50%. Альянс Toshiba-Western Digital в первом полугодии сделал 48-слойную технологию основной в своем производственном процессе и к концу года около трети выпускаемой флэш-памяти будет относиться к 3D-NAND. В марте 2016 г. Toshiba приступила к строительству Fab 6 в японском Йоккаити. Как ранее планировалось, фабрика, ставшая плодом совместных финансовых вливаний с WD, начнет выпуск 3D-NAND уже в 2019 г., однако трещина в отношениях между инвесторами, вызванная продажей Toshiba своего подразделения памяти американо-японскому консорциуму во главе с фирмой прямых инвестиций Bain Capital, может внести коррективы в эти планы. Доля инвестиций Toshiba в Yokkaichi Operations составляет около 55%, а WD — 45%. То, как компании решат вопрос участия в производственных мощностях новой Fab 6 будет немаловажным для дальнейшего благополучия TMC и показателей индустрии NAND в целом. Пока что известно, о намерениях WD через международный арбитраж требовать от Toshiba прекращения инвестирования в завод Fab 6 в случае, если ее подразделение SanDisk будет отстранено от развития этого проекта.

NANDежная опора

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT