Micron планирует к 2014 г включить чипы NAND в модули DRAM

К моменту выхода на рынок модулей стандарта DDR4 в 2014 г компания Micron Technology планирует подготовить так называемую гибридную память (Hybrid DIMM), где разместятся чипы NAND и DRAM. Причем объем таких модулей может достигать 256 ГБ.

По замыслу разработчиков Micron, скорость обмена подобных устройств памяти увеличится на порядок по сравнению с имеющимися ныне SSD, подключаемыми к шине PCI-E. Время доступа сократится с микро- до наносекунд.

Рассматривать такие накопители стоит как более скоростные SSD с большой кэш-памятью на базе DRAM, либо как модули DRAM с возможностью локального хранения временных своп-файлов, либо как блочные хранилища данных на базе флэш-памяти в паре с DRAM.

В состав Hybrid DIMM войдут два контроллера: для работы с внешним интерфейсом с процессором и непосредственно для флэш-памяти. Поэтому, несомненно, такие модули окажутся дороже SSD аналогичного объема. Но это станет платой за увеличившуюся скорость обмена.

Понятно, что без поддержки ОС вряд ли можно будет извлечь выгоду от использования Hybrid DIMM. Поэтому Micron ведет переговоры с Microsoft для реализации такой функциональности в Windows, а драйверы для Linux будут создаваться собственными силами производителя памяти.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI