| +11 голос |
|
По данным агентства Синьхуа, Институт микросистем и информационных технологий в Шанхае и Китайская академия наук совместно с производителем микроэлектроники SMIC и компанией Microchip Technology разработали память на эффекте фазового изменения состояния (phase-change random access memory, PCRAM) с использованием лишь китайской интеллектуальной собственности.
Массовый выпуск модуля объемом 8 Мбит уже запланирован на этот год. Он займет место NOR-флеш в мобильных устройствах и RFID. И хотя такой объем не выглядит слишком уж большим прорывом, но для Китая данная разработка являлась вопросом принципа, дабы отказаться от поставок из-за рубежа. Кроме того, эта разработка сопровождалась получением около 200 патентов. Впрочем, остается неясной роль в этом коллективе американской компании Microchip (Chandler, Arizona).
В настоящее время лидерами в направлении PCRAM являются Micron и Samsung. Последняя разработала чип PCRAM на базе техпроцесса класса 60-65 нм объемом 512 Мбит, тогда как Micron благодаря приобретению Numonyx принадлежит чип на 128 Мбит на базе процесса с допуском 90 нм. И специалисты Numonyx работают в настоящее время над версией 1 Гбит на базе 45-нм.
Что же касается PCRAM-чипа шанхайского института, то о нем известно лишь то, что он был выпущен с использованием 200-мм пластин, все иные подробности, включая примененный материал, отсутствуют. Его появление отвечает стратегии Китая в течение ближайшего десятилетия довести долю выпускаемых в стране микросхем в общем объеме используемых до 60%.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
