`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Тимур Ягофаров

К нам стучится MRAM

+13
голоса

Этот год ознаменовался целым рядом достижений в области энергонезависимой магниторезистивной технологии памяти. Компании Menta SAS и LIRMM объявили о выпуске первой в мире микросхемы FPGA, базирующейся на энергонезависимой магниторезистивной технологии.

Чип был произведен на базе технологии CMOS с допуском 130 нм и магнитными прослойками в 120 нм, что обеспечило емкость, эквивалентную 20 К логических вентилей.

К нам стучится MRAM

Прототип стал результатом совместных усилий компании Menta и подразделения микроэлектроники лаборатории LIRMM (Laboratory of Informatics, Robotics and Microelectronics of Montpellier) при поддержке французского национального исследовательского агентства (ANR). Он стал иллюстрацией возможности скомбинировать традиционную CMOS-логику и новый тип энергонезависимой памяти MRAM. В качестве потенциальных заказчиков такого типа устройств рассматриваются аэрокосмическая и военная сферы, автомобилестроение и потребительская электроника. 

К нам стучится MRAM

Среди преимуществ новой технологии профессор Лионель Торрес (Lionel Torres), возглавлявший проект со стороны LIRMM, отметил лучшую гибкость FPGA-решений на базе MRAM, так как они позволяют производить частичную или динамическую реконфигурацию, для них доступно мгновенное включение и выключение всего массива или его части, что позволяет улучшить энергосбережение.

Вообще, MRAM в настоящее время является горячей темой для производителей микроэлектроники, которые рассчитывают с ее помощью преодолеть недостатки флэш- и динамической памяти. Так о своих планах выйти в данный сегмент заявляли такие известные игроки, как Avalanche, Crocus Technology, Hynix, IBM-TDK, Renesas, Samsung, Toshiba. Но единственным, кто в настоящее время выпускает коммерческие MRAM-продукты, является Everspin Technologies (отпочковавшаяся от Freescale Semiconductor) с ее 16 МБ модулями. Они рассматриваются, прежде всего, в качестве замены SRAM.

Второе поколение MRAM получило название STT-RAM и было разработано компанией Grandis, основанной в 2002 году. В отличие от первого поколения, где применяются «бутерброды» из двух тонких слоев магнитного материала, разделенные диэлектриком, в STT-RAM отдельные разряды формируются током с различной спинной поляризацией (spin-polarized current). Это, по заявлению представителей Grandis, позволяет уменьшить энергопотребление и улучшить масштабируемость.

По признанию специалистов Grandis, в этом году в рамках проекта для DARPA была достигнута возможность производить до 1016 циклов перезаписи. При этом средняя скорость записи составила 5 нс при диапазоне показаний от 1 до 20 нс.

+13
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT