| 0 |
|
Новый технологический процесс, продемонстрированный специалистами Национального института стандартов и технологий (National Institute of Standards and Technology, NIST), позволяет изменять электрическое сопротивление индивидуальных слоев полупроводниковых устройств без внесения модификаций в остальные этапы производственного процесса.
Коллектив исследователей использует небольшое количество ионов ксенона для локального разрушения поверхности слоя без повреждения подложки. Каждый такой ион имеет огромную потенциальную энергию – более 50 кВ – поэтому одного удара достаточно для пробивания слоя. Контролируя количество ионов ученый способны точно управлять числом созданных отверстий, а следовательно, и сопротивлением слоя. В экспериментах показана возможность его регулирования в широких пределах – до трех порядков величины.
В настоящее время в NIST работают над внедрением модифицированных ионнной «бомбежкой» слоев в функционирующие магнитные сенсоры для жестких дисков. По их заявлению, это позволит создать сверхминиатюрные датчики для накопителей следующего поколения, совмещающие достоинства двух сенсорных технологий, до сих пор применявшихся раздельно – быстродействие, свойственное методу GMR (Giant Magneto-Resistance), и большую амплитуду сигналов, характерную для MTJ (Magnetic Tunnel Junction).
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
