Анонсированая двумя компаниями программа предусматривает сотрудничество в исследованиях и разработке технологий высокоемкой магнитной памяти MRAM (Magnetic Random Access Memory).
IBM принадлежит ведущая роль в развитии MRAM, равно как и в фундаментальных исследованиях, составивших основу для этого типа памяти. TDK накопила большой опыт применения технологии магнитного туннельного соединения (magnetic tunnel junction, MTJ) в записывающих головках жестких дисков. Оба партнера имеют множество патентов на материалы и технологии магнитной цифровой записи.
Над реализацией поставленных проектом задач совместные команды специалистов будут работать в IBM TJ Watson Research Center – Йорктаун Хайтс (штат Нью-Йорк), IBM Almaden Research Center в Сан Хосе (штат Калифорния), IBM ASIC Design Center в г. Берлингтон, а также в R&D-центре TDK в калифорнийском городе Милпитас.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
