| 0 |
|
Hynix Semiconductor и Toshiba решили объединить свои усилия в области разработки продуктов на базе технологии магниторезистивной памяти (MRAM). После завершения исследовательских работ обе стороны собираются создать СП для организации производства коммерческих продуктов. Частью заключенного для этого соглашения стало кросс-лицензионное соглашение между Hynix и Toshiba. Стороны пока не комментируют объемы планируемого производства и время начала выпуска коммерческих решений на базе MRAM.
Напомним, что MRAM является энергонезависимой памятью с высокой энергоэффективностью и скоростью, что особенно востребовано в мобильных устройствах.
Отметим, что на рынке уже присутствуют MRAM-продукты объемом 16 Мбит, что, конечно же, несравнимо с уже доступными 64-гигабитными чипами NAND-флэш на базе 20-нанометровой технологии. Однако эксперты видят перспективы MRAM не только в качестве энергонезависимой памяти, но и в качестве замены DRAM, так как она сравнима с ней по скорости. Поэтому сможет заменить в мобильных устройствах и оперативную память, и накопители для долговременного хранения информации.
По заявлению Toshiba, разработанная ею технологии перпендикулярного магнитного туннельного соединения (perpendicular magnetic tunnel junction, MTJ) может стать базовым элементом гигабитовых чипов SST-MRAM, которые могут появиться на рынке в течение ближайших трех-четырех лет. А объединение ресурсов Hynix и Toshiba позволит минимизировать риски и ускорить коммерциализацию MRAM.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
