`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Тимур Ягофаров

Чипы доросли до 64 этажей

+33
голоса

Полтерабита флэш-памяти на одном чипе – на такой рубеж должна выйти индустрия уже в начале 2017 года. А появилась такая возможность благодаря тому, что исследователи научились строить на кремниевой подложке «небоскребы» высотой до 64 этажей.

По заявлению компании Western Digital, уже начато производство чипов 3D NAND третьего поколения, что позволило увеличить число уровней, формируемых из ячеек памяти, с 48 до 64. Пока речь идет о пилотном выпуске 64-слойных микросхем на заводе Yokkaichi в Японии. А массовое производство намечено на начало 2017 года.

Стоит напомнить, что весной этого года WD приобрела компанию SanDisk, поэтому теперь WD – не только производитель жестких дисков, но и активно вытесняющей их твердотельной памяти. Работу над многослойными чипами SanDisk вела совместно с Toshiba, которая в этом союзе выступала в качестве производственного партнера. И в 2015 году ими был выпущен первая в мире 48-слойная микросхема флэш-памяти с использованием технологии BiCS (Bit-Cost Scalable) NAND. Кроме использования многослойной структуры она предусматривает и применение ячеек с возможностью хранения трех битов. На тот момент такие чипы вмещали 256 Гбит (32 ГБ). Нынешнее же поколение этой технологии получило название BiCS3, а ее максимальные возможности достигают полутерабита на чипе.  
 Чипы доросли до 64 этажей
Рост этажности связан с тем, что является наиболее эффективным способом увеличения плотности размещения на подложке ячеек памяти. Сокращение технологического допуска менее 15 нм в случае флэш-памяти сталкивается с тем, что значительно усложняется задача надежного хранения зарядов во все уменьшающемся объеме ячейки. Поэтому конструкторы и пошли путем наращивания числа уровней, на которых расположены элементы хранения. При этом не стоит забывать и про необходимость обеспечивать доступную цену таких микросхем.

Впрочем, SanDisk была не первой, предложившей такой метод увеличения плотности флэш-памяти. Еще в 2013 году Samsung выпустила свой первый чип на базе вертикальной технологии TLC "V-NAND” с использованием 32 слоев, где размещались ячейки Charge Trap Flash (CTF), соединяемые вертикальными интерконнектами.  А в 2014 году  Samsung довела число слоев до 48 и уже анонсировала SSD с максимальной емкостью 15 ТБ.

Такого же уровня интеграции 3D NAND в 48 слоев достигли и работающие в партнерстве Intel и Micron. Поэтому движение ввысь является просто необходимым для индустрии энергонезависимой памяти.

По заявлению Сива Сиварама (Siva Sivaram), исполнительного вице-президента WD по направлению технологий памяти, компания уже планирует выпуск чипов, содержащих более 100 слоев.  «Мы не видим естественных пределов наращивания числа уровней ячеек памяти на подложке», - заявил он. Поэтому все упирается лишь в организацию технологических линий по выпуску многослойных структур. Интересно, какой будет емкость памяти смартфонов через год-два, когда на полную мощность заработают запускаемые сегодня линии?

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT