Вольфрам на кевларе — для пуленепробиваемой электроники

На 61-м Международном симпозиуме AVS, который пройдет 9-14 ноября в Балтиморе (штат Мэриленд), исследователи из Университета Северной Каролины расскажут о новых опытах по применению процессов полупроводниковой индустрии к нестандартным подложкам для получения тканых материалов, сочетающих казалось бы взаимоисключающие свойства — высокую прочность, гибкость и электропроводность.

В качестве примера будет описан эксперимент по практическому созданию высокопрочного и электропроводящего полотна из нитей вольфрама на кевларовой основе, с использованием техники напыления атомных слоев (atomic layer deposition, ALD), широко применяемой в производстве памяти и логических устройств.

Группы выбрала ALD за способность наносить на неплоских поверхностях покрытие контролируемой толщины путем поэтапного осаждения из газовой фазы моноатомных слоев. Это позволило создать однородное вольфрамовое покрытие на фрагменте кевларовой ткани, состоящем примерно из 600 волокон толщиной 12 мкм каждое.

Тесты показали, что полученная таким образом ткань очень гибкая и обладает высокой электропроводностью — порядка 2000 См/см. Прочность ее находится в пределах 90% от таковой первоначального материала (до напыления).

Предполагается, что металлизированный кевлар получит применение в качестве материала двойного назначения (для электромагнитного экранирования и механической защиты) в коммуникациях, а также в космической технике — как антистатическая ткань, устойчивая к эрозии.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI