| 0 |
|
Новое физическое явление, описанное международным коллективом ученых в журнале с высоким импакт-фактором, Nature Nanotechnology, может быть использовано для создания более эффективных чипов энергонезависимой магнитной памяти MRAM (Magnetic Random Access Memories).
Современные реализации MRAM имеют высокое быстродействие, но низкую плотность интеграции, потребляют много энергии, сложны и дороги в производстве. Одна из причин тому, спиновые (или спин-поляризованные) токи, необходимые для переключения магнитных областей MRAM. Для их получения требуется выделить из нормального электрического тока составляющую с только одной ориентацией спина электронов. Это до недавнего времени было достижимо только посредством особых фильтров и при высокой плотности тока.
Благодаря новому эффекту, открытому германскими, французскими, швейцарскими и испанскими исследователями, переключение магнитных битов теперь может осуществляться гораздо проще. Ток с нужной конфигурацией спина генерируется там, где в нем возникает необходимость. Все, что для этого требуется – гетероструктурная система из налагающихся один поверх другого слоев платины и кобальта. При прохождении через нее тока, в слое платины происходит разделение спинов и в магнитный слой кобальта проникает только один тип спина. Это создает в кобальте момент, обеспечивающий перемагничивание.
Спин-орбитальные моменты наблюдались в двухслойных системах и прежде, и новизна этой работы заключается в том, что впервые исчерпывающе объяснены два механизма их образования (спин-орбитальное связывание и обменное взаимодействие), что позволило селективно управлять их возникновением и изучать более детально.
Выводы разработанной теории успешно прошли экспериментальную проверку. В дальнейшем, полученные результаты будут применены для моделирования эффекта на других материалах с более сильным спиновым моментом, для поиска наиболее эффективных гетероструктурных комбинаций.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
