`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Управление магнитной памятью с помощью напряжения возможно

0 
 

В поисках все более быстрых и меньших по размерам устройств для хранения данных физики изучают возможность кодирования данных на магнитных носителях с помощью электрических полей. Одним из преимуществ их использования - меньшее потребление энергии, чем в традиционных системах.

Однако в начале 2011 г. исследователи сообщили о том, что ключевой параметр намагничивания – коэрцитивность (сопротивление размагничиванию) управляется не напряжением, а, скорее, побочным продуктом – теплом.

Чтобы детальнее изучить, напряжение или тепло ответственны за коэрцитивность, ученые из Пекинского университета Цинхуа протестировали три структуры, обычно используемые в экспериментах с магнитной памятью. В результате экспериментов они пришли к выводу, коэрцитивностью управляет не тепло.

В своей статье, опубликованной в «Журнале прикладной физики», авторы показывают, что напряжение непосредственно управляло изменениями магнитных свойств всех трех тестируемых образцов. Например, исследователи демонстрировали, что эффект мог быть включен и выключен практически мгновенно, тогда как тепловые изменения должны были иметь некоторый временной лаг.

Это хорошая новость, поскольку системы, которые производят слишком много тепла будут снижать производительность любого устройства, сделанного по этой технологии.

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT