+22 голоса |
Исследователи из Стэнфордского университета в США обнаружили два новых материала, которые могут продлить жизнь кремния ниже 5 нм.
Диселенид гафния и диселенид циркония образуют стабильные оксиды с высоким k в слоях толщиной всего в несколько атомов с запрещенной зоной аналогичной кремнию. Новые материалы также могут быть уменьшены до функциональных цепей толщиной всего в три атома и требуют меньше энергии, чем кремниевые схемы. Несмотря на только экспериментальные результаты, материалы могут стать шагом на пути к более тонким, более энергоэффективным чипам, говорит Эрик Поп (Eric Pop), адъюнкт-профессор электротехники.
«Инженеры не смогли сделать кремниевые транзисторы тоньше, чем примерно 5 нм без изменений свойств материала нежелательными способами, - сказал Поп. - Кремний не исчезнет, но для потребителей это может означать гораздо более длительный срок службы батареи и гораздо более сложную функциональность, если эти полупроводники могут быть интегрированы с кремнием».
Следующим шагом является повышение качества электрических контактов между транзисторами на схемах ультратонкого диселенида. «Эти соединения всегда были проблемой для любого нового полупроводника, и трудности становятся все больше, когда мы сокращаем схемы до атомного масштаба», - сказал докторант Михал Млечко (Michal Mleczko), соавтор работы.
Материалы также должны быть интегрированы с другими материалами, а затем масштабироваться до рабочих пластин и сложных цепей. «Еще предстоит много исследований, но новая цель - более тонкие, меньшие схемы и более энергоэффективная электроника находится в пределах досягаемости», - сказал Поп.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
+22 голоса |