| 0 |
|
Коллектив, объединяющий исследователей из Франции и Италии, сообщил о получении результатов, углубляющих понимание фундаментальных свойств силицена — одного из перспективных материалов будущей электроники.
В статье, вышедшей 12 августа в журнале 2D Materials, они показали, что многослойный фрагмент силицена может оставаться стабильным в присутствии кислорода на протяжении, по меньшей мере, 24 часов.
Силицен состоит из одиночных слоев кремния с гексагональной структурой. Его выращивают на серебряной подложке, осаждая на нее атомы, которые «испаряются» из нагретой до высоких температур кремниевой заготовки. Это происходит в вакууме для предотвращения контакта с кислородом, который оказывает разрушающее воздействие на формирование индивидуальных слоев.
Увеличивая количество слоев, силицен можно превращать из 2D- в 3D-материал. Предшествующие исследования, однако, показали, что в многослойной конфигурации силицен нестабилен и всегда превращается обратно в кремний.
В новой работе на серебряную основу, нагретую до 470 K, было нанесено 43 монослоя силицена, при использовании источника кремния с температурой 1470 K. Авторы наблюдали, как сразу вслед за этим на верхнем монослое силицена образовался очень тонкий слой окисла. Они показали, что в дальнейшем такое покрытие помогало сохранить структурную целостность многослойного образца.
Он оставался на открытом воздухе 24 часа не превращаясь в обычный кремний. Для подтверждения этого ученые использовали рентгеновскую дифракцию и рамановскую спектроскопию.
«Данное исследование показало, что многослойный силицен превосходит однослойный по электропроводности, что открывает возможность его применения в кремниевой микроэлектронной индустрии, — отметила Паола ли Падова (Paola De Padova) из итальянского Consiglio Nazionale delle Ricerche. — В частности мы рекомендуем использовать данный материал в качестве затвора силиценового транзистора MOSFET, наиболее распространенного компонента цифровых и аналоговых схем».
В настоящее время изучается возможность выращивания многослойного силицена непосредственно на полупроводниковых подложках для изучения совместных сверхпроводящих свойств.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
