TSMC розкрила деталі майбутнього техпроцесу з допуском 2 нм

1 май, 2023 - 10:35

TSMC розкрила деталі майбутнього техпроцесу з допуском 2 нм

На організованою TSMC конференції 2023 North American Technology Symposium, що відбулася днями, компанія познайомила з деталями 2-нанометрового техпроцесу N2, який розробляється нею. За планами виробника, він має бути запущений у період 2025-2026 років.

Нагадаємо, що вперше техпроцес N2 був представлений TSMC минулого року. Він передбачає використання технології GAAFET (транзистори gate-all-around), що отримала також назву транзистори наношару. Її перевагами порівняно з FinFET, що нині використовується, є знижений струм витоку, а також можливість налаштовувати канал для досягнення більшої продуктивності або меншого енергоспоживання.

Представляючи техпроцес N2, TSMC заявляла, що він дозволить збільшити продуктивність на 10-15% при тому самому рівні споживання, або знизити енергоспоживання на 20-30% при тій же тактовій частоті.

За уточненими планами, промислове використання N2 намічено наприкінці 2025 р. Нині вихід придатних чіпів 256Mb SRAM, експериментально випущених з використанням N2, перевищує 50%.
TSMC розкрила деталі майбутнього техпроцесу з допуском 2 нм
На 2026 рік заплановано застосування модифікації 2-нанометрового техпроцесу N2P, де реалізовано подачу електроживлення на задній стороні. Цей підхід призначений для роз'єднання шин введення-виведення та живлення шляхом переміщення шин живлення на задню частину, що дозволяє розв'язати такі проблеми, як підвищений опір у задній частині лінії (BEOL). Це, своєю чергою, підвищить продуктивність транзисторів та знизить їхнє енергоспоживання. Крім того, задня подача живлення усуває деякі потенційні перешкоди між з'єднаннями для передачі даних та живлення. Крім того, такий метод розведення ланцюгів живлення дозволить додатково збільшити щільність розміщення транзисторів.

TSMC не заявляє про те, наскільки планований техпроцес N2P покращить показники вихідного N2. Але за оцінками експертів, впровадження одних лише задніх силових шин може принести однозначне покращення потужності та двозначне збільшення щільності транзисторів.

N2X - ще одна модифікація вихідного 2-нанометрового техпроцесу N2, яка орієнтована на високопродуктивні платформи. Поки що не повідомляється про якісь технічні деталі N2X. Очікується, що її фактичні переваги значною мірою залежатимуть від того, наскільки широко практикується спільна оптимізація технологій проєктування (DTCO).