| +11 голос |
|
Ведущий контрактный производитель полупроводников, TSMC, первым объявил о начале крупномасштабного выпуска чипов с уровнем детализации 7 нм. По информации этой компании, десятки заказчиков уже готовы приступить к интеграции этой технологии в свои схемы.
TSMC утверждает, что её 7-нанометровый процесс FinFET (Fin Field-Effect Transistor) обеспечивает «наиболее конкурентоспособную плотность логики» в индустрии и «устанавливает ориентир для разработки технологий 7 нм», выдавая чипы 256 Мб SRAM с двузначной процентной долей выхода годной продукции.
Если сравнивать с предыдущим, 10-нанометровым процессом FinFET, то выигрыш в плотности логики достигает 1,6. Кроме того, на 20% улучшается быстродействие и на 40% снижается расход энергии.
Также известная под наименованием CLN7FF, эта технология позволяет проектировщикам микросхем уменьшить габариты подложек на 70%. Ожидается, что первыми устройствами с новым типоразмером станут центральные процессоры, GPU, массивы программируемой логики, чипы для ускорения обучения нейросетей и майнинга криптовалют, мобильные SoC. TSMC в связи с этим рассчитывает, что востребованность её продвинутого производственного сервиса позволит успешно противостоять снижению спроса на смартфонные чипы.
Компания уже начинает выпуск 18 продуктов, а к концу года по 7-нанометровой технологии будет производится около полусотни разнообразных устройств.
По информации Anandtech, в CLN7FF задействована литография в диапазоне глубокого ультрафиолета с эксимерным лазером, излучающим на длине волны 193 нм. Это позволяет TSMC использовать для выпуска 7-нанометровых чипов уже имеющееся у неё производственное оборудование.
В 2019 году, TSMC собирается представить следующее поколение 7-нанометрового процесса (CLN7FF+), котором впервые для отдельных слоёв будет использоваться литография в «экстремальном ультрафиолете». На уровень массового производства CLN7FF+ планируется вывести к середине года.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +11 голос |
|
