8 февраля 2013 г., 9:45
В статье, опубликованной на днях в журнале ACS Nano, сотрудники Мэрилендского университета рассказали о создании очень гладкой нанобумаги, пригодной для применения в качестве основы для печати многослойных транзисторов.
До сих пор все усилия по созданию бумажных, т.е. утилизируемых безопасно для окружающей среды, транзисторов упирались в грубость поверхности бумаги. Размеры неровностей текстуры исчисляются микрометрами, тогда как для транзисторов приемлемой является чистота обработки поверхности не хуже нескольких сотен нанометров.
Получить нанобумагу удалось обрабатывая бумажную массу окисляющими энзимами и утончая ее механическими методами. Результатом стал материал с размером волокон всего 10 нм и прозрачный на 83,5%.
Такие характеристики позволили ученым непосредственно нанести на бумажную основу базовый слой углеродных нанотрубок, а на них — полупроводящие чернила. Полноценный транзистор они получили добавив еще слой нанотрубок, служивших электродами и обеспечивавших дополнительную структурную поддержку.
Тесты законченного устройства показали, что транзистор функционировал как и было запланировано, а при небольшом изгибании терял всего 10% эффективности.
Авторы статьи указывают, что недостаточная пока эффективность опытных прототипов транзисторов может быть улучшена довольно простыми способами, сделав нанобумагу конкурентоспособной по сравнению с современными материалами для электронных устройств.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI