| +22 голоса |
|
По мере увеличения плотности полупроводниковых схем использование в литографическом процессе полимерных фоторезистов (фоточувствительной плёнки) и аргоновых лазеров становится затруднительным, не позволяя достаточно точно воспроизводить геометрию электронных цепей на подложке.
На 22-й международной конференции по микропроцессам и нанотехнологии корпорация Toshiba сообщила о создании на базе низкомолекулярных материалов фоторезиста (фоточувствительной плёнки) высокого разрешения, пригодного для применения в EUV-литографии (в дальнем ультрафиалетовом диапазоне).
Практичность данной разработки была продемонстрирована на примере первого в мире полупроводникового процесса с уровнем детализации 20 нм. Компания успешно применила новый фоторезист (на базе производной труксена) не только к позитивному, но и к более требовательному, негативному процессу (первый после растворения фоторезиста оставляет канавки, а второй – приподнятые области).
Согласно официальному прогнозу развития индустрии (International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS) масштабный выпуск микросхем этого поколения начнётся в 2013 г.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +22 голоса |
|
