На конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) в Вашингтоне корпорация Toshiba сообщила о разработке фундаментальной технологии double tunneling layer применимой для создания флэш-памяти с уровнем детализации 10 нм.
Новая туннельная структура типа SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) состоит из 1,2-нанометрового слоя кристаллического кремния, заключенного между оксидными пленками толщиной 1 нм, и обеспечивает долговременное хранение информации наряду с ее быстрым чтением и записью.
По сравнению с более ранними версиями SONOS такие туннельные слои более тонкие, что упрощает миграцию на более совершенные устройства емкостью порятка 100 Гб, изготовляемые с применением литографических процессов следующих поколений. Компания также добилась успеха в увеличении количества хранимых электронов заменив в качестве материала нитридной пленки Si3N4 на Si9N10, и оптимизировала такой параметр структуры канала как концентрация дефектов.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
