Корпорация Toshiba объявила о реализации самой быстрой в мире DRAM-технологии для System LSI. Она позволяет чипам памяти функционировать с частотой 833 МГц при плотности в 32 Мб и будет применяться в схемах для обработки графики. Технология была представлена на конференции ISSCC (International Solid State Circuits Conference), начавшейся 3 февраля в Сан-Франциско.
Для достижения высокого быстродействия компания Toshiba применила «псевдо двухпортовую» систему. Это подразумевает виртуальное разделение всей памяти надвое для дальнейшего чтения/записи в параллельном режиме. Благодаря замене стандартной последовательной технологии ее параллельной реализацией, а также оптимизации схем, Toshiba смогла достичь наивысшей производительности чипов при плотности интеграции 32 Мб.
Система LSI со встроенной DRAM-памятью будет использоваться при производстве мобильных телефонов и проекторов следующего поколения. Toshiba также планирует применить эту технологию к 65-нанометровому процессу.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
