| 0 |
|
Toshiba объявила о расширении линейки флеш-памяти BENAND (Built-in ECC NAND) со встроенным восьмиразрядным механизмом коррекции ошибок (ECC). Новые одноуровневые ячейки памяти (SLC) имеют емкость 8 Гб и изготавливаются по 24 нм технологии.
Как отмечает производитель, традиционно механизм коррекции ошибок встраивался в контроллеры, что делало переход на более новые и дешевые микросхемы NAND дорогостоящей задачей, так как для обеспечения требуемого уровня коррекции ошибок приходилось менять контроллер. Память BENAND освобождает процессор от нагрузки, связанной с коррекцией ошибок, и позволяет использовать устаревшие контроллеры с новейшей памятью NAND. Также для облегчения перехода в новом модуле такие элементы, как размер страницы/блока, размер резервной области, команды, интерфейс и корпус, такие же, как в существующих модулях SLC NAND 4xnm.
Новые модули BENAND доступны в корпусах TSOP и BGA. Чипы рассчитаны на широкий спектр устройств, включая бытовую электронику, мультимедийные устройства, интеллектуальные измерительные приборы, промышленное оборудование и т.д.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
