Компания Toshiba объявила о разработке технологии, позволяющей создавать трехмерную структуру массивов ячеек NAND памяти.
Это по заявлению ее специалистов должно позволить значительно поднять емкость флэш-накопителей без уменьшения норм детализации технологических процессов.
Новшество Toshiba заключается в вертикальном размещении стекируемых элементов памяти, использующих общие периферийные цепи, внутри многослойной пластины, состоящей из электродов затвора, разделенных слоями диэлектриков. При этом число соединенных ячеек памяти растет прямо пропорционально высоте стека.
Существующие технологии стекирования предусматривают размещение двумерных массивов элементов памяти друг над другом, что, по мнению Toshiba, является более длительным и сложным в производстве. Трехмерная структура обеспечивает существенное увеличение плотности размещения элементов памяти при незначительном росте площади модуля.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
