Toshiba Memory разработала прототип 96-слойной памяти на базе собственной технологии трехмерной флэш-памяти BiCS FLASH. Благодаря применению ячеек с 4 битами на каждую (quad level cell, QLC), емкость новой памяти на один чип имеет наивысший уровень в индустрии, отмечает разработчик.
Новый продукт, совместно разработанный с Western Digital Corporation, обеспечивает емкость на уровне 1,33 Тб на чип. Это позволит получить накопители с емкостью в 2,66 ТБ с четырьмя микросхемами в одном пакете.
Toshiba Memory начнет поставлять образцы новой памяти производителям твердотельных накопителей и SSD-контроллеров для оценки с начала сентября и рассчитывает начать массовое производство в 2019 г.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
