Toshiba и SanDisk начали строительство фабрики по выпуску флэш-памяти NAND

7 августа 2006 г., 10:47

Hardware

Корпорации Toshiba и SanDisk 4 августа объявили, что в соответствии с условиями соглашения, заключенного между ними в июле (itc.ua/24925), началось строительство полупроводникового завода Fab 4. Он будет расположен в г Йоккаити (префектура Миэ, Япония) рядом с открытой год назад фабрикой Fab 3.

Размер инвестиций в Fab 4 на протяжении двух лет (с апреля 2006 по март 2008 г.) достигнет 300 млрд иен. Toshiba будет финансировать строительство здания, а Flash Alliance --ее новое совместное предприятие с SanDisk -- возьмет на себя расходы по оснащению производства оборудованием, использующим 300-миллиметровые пластины.

Ввести в строй Fab 4 предполагается в четвертом квартале следующего года, а ее мощность составит первоначально 2500 пластин в месяц, а спустя год достигнет 67500 пластин. Для производства устройств NAND будет использован 56-нанометровый технологический процесс, впоследствии запланирован переход на следующие уровни детализации.

Продукция Fab 4 будет делиться поровну между Toshiba и SanDisk. Наряду с наращиванием мощностей Fab 3 запуск нового производства позволит компаниям удовлетворить растущий спрос на продукты флэш-памяти в 2008 и последующие годы.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI