| 0 |
|
В частности, был продемонстрирован действующий прототип, обеспечивающий коммутацию в 500 раз быстрее, чем флэш, и потребляющие вдвое меньше энергии для записи. Кроме того, по габаритам (3 х 20 нм) он значительно компактнее самых миниатюрных чипов флэш-памяти.
Основой новой технологии фазовой памяти (phase-change) является полупроводниковый материал (легированный сплав GeSb), разработанный в калифорнийском Almaden Research Center компании IBM. Он способен быстро переключаться между состоянием с упорядоченной, кристаллической структурой и низким электрическим сопротивлением и аморфной фазой со значительно более высоким сопротивлением.
Поскольку каждое из состояний стабильно и не требует для поддержания электрического поля такая память энергонезависима. Фаза задается характером электрического импульса, нагревающего полупроводник. При его резком обрыве атомы "замораживаются" в хаотическом положении, а при плавном выключении (на протяжении более 10 нс) они успевают перестроится в кристаллическую решетку.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
