0 |
В Университете Северной Каролины (NC State) разработана технология, позволяющая интегрировать в кремниевые микросхемы мультиферроики — материалы, обладающие ферроэлектрическими и ферромагнитными свойствами. Это достижение поможет в разработке запоминающих устройств нового типа, прототипы которых уже созданы и тестируются сотрудниками NC State, во главе с профессором Джаем Нарайяном (Jay Narayan).
«Эти мультиферроики обеспечивают возможности переключения намагниченности материала электрическим полем или электрической полярности — магнитным, что делает их очень привлекательными для использования в новом поколении устройств», — отметил Нарайян, являющийся главным автором двух статей в Journal of Applied Physics, в которых рассказывается о данном исследовании.
Ранее было известно, что комбинируя слои ферроэлектрика и ферромагнетика — титаната бария (BTO) и оксида лантана стронция магния (LSMO) — можно получить мультиферроик. Но такие тонкие «бислойные» пленки непригодны для обычных чипов — их компоненты диффундируют в кремний.
Группа Нарайана подошла к решению проблемы с двух сторон. Сначала они нашли способ наделить BTO ферромагнитными свойствами без добавления LSMO, а затем разработали буферные слои, которые можно использовать для интеграции пленок BTO и BTO/LSMO в кремниевые схемы.
Сделать из BTO мультиферроик удалось, создав наносекундным импульсом лазера в этом материале кислородные вакансии и связанные с ними дефекты.
В качестве материалов для буферных слоев авторы предложили нитрид титана (TiN) и оксид магния (MgO). TiN выращивается как монокристалл на кремниевой подложке, и, в свою очередь, служит основой для роста кристалла MgO. BTO или бислой BTO/LSMO наносятся на оксид магния и могут эффективно функционировать, не разрушая диффузией кремниевые транзисторы.
После завершения испытаний прототипов памяти на мультиферроиках, ученые планируют начать поиск промышленных партнеров для внедрения новых технологий в производство.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
0 |