| 0 |
|
В созданной ячейке применена объемная структура затвора: на кремниевый нанопровод -- источник электронов - последовательно нанесены слои оксида-нитрида-оксида (ONO) создавая затвор, действующий в трех измерениях. Это позволяет более эффективно противостоять утечке электронов, чем в традиционных плоских конструкциях. Для хранения заряда служит изолирующий слой нитрида со множеством ловушек, что предпочтительнее схемы плавающего затвора, так как позволяет уменьшить взаимное влияние близкорасположенных проводящих цепей.
Миниатюризация ячеек памяти обеспечит рост емкости флэш-устройств в 25 раз по сравнению с наиболее совершенным на сегодняшний день 32-гигабитовым чипом с уровнем детализации 40 нм, выпускаемым Samsung. Однако, как подчеркивают исследователи, на пути реализации новой памяти остается несколько препятствий. В частности, необходимо разработать технологию формирования сверхтонких пленок ONO (сейчас они занимают больше места, чем сам затвор), альтернативный материал для изолятора и, в конечном итоге, эффективный процесс производства таких устройств.
Более подробно о характеристиках 8-нанометровых ячеек будет рассказано во время конгресса VSLI Technology, который состоится в июне 2007 г. в Киото (Япония).
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
