Благодаря его уникальным свойствам графен широко разрекламирован, как перспективный материал для электронной и фотонной техники следующего поколения. Менее известны связываемые с ним перспективы разработки новых запоминающих устройств. Последней новостью в этой области является использование для дискретного хранения заряда квантовых точек, изготовленных из графена.

Статья о памяти на графеновых квантовых точках опубликована корейскими авторами из Университета Кюн Хи и компании Samsung Electronics в недавнем выпуске журнала Nanotechnology.

В своей работе, ставшей первым опытом применения графеновых квантовых точек в энергонезависимой зарядовой памяти и в практических электронных устройствах вообще, они исследовали точки трех размеров (диаметром 6, 12 и 27 нм), заключенные между слоями двуокиси кремния. Было установлено, что свойства памяти варьируются в зависимости от размеров точек: 12-нанометровая имеет самую высокую скорость программирования, а 27-нанометровая демонстрирует самое быстрое стирание и наилучшую стабильность работы.

Несмотря на то, что характеристики энергонезависимой памяти на графеновых квантовых точках пока ниже коммерческих стандартов, они сопоставимы с показателями флэш-памяти на металлических нанокристаллах, а также полупроводниках на ранних этапах ее развития.

Исследователи надеются, что дальнейшее совершенствование графеновых точечных устройств позволит улучшить производительность и откроет для них новые приложения. Замена управляющих и туннелирующих барьеров из диоксида кремния гибкими диэлектриками откроет таким устройствам дорогу в гибкие (в т.ч. носимые) электронные устройства. Ряд преимуществ (более высокая плотность состояний, гибкость настройки режимов работы) обещает использование металлических наночастиц, однако флэш-память на базе последних может быть подвержена деградации из-за температурной нестабильности и не подойдет для применения в гибкой и прозрачной электронике и фотонике.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI