| 0 |
|
SK hynix продемонструвала зразок 321-шарової 4D NAND, оприлюднивши прогрес у розробці першої в галузі NAND з більш ніж 300 шарами.
Компанія провела презентацію про хід нової розробки 4D NAND флеш-пам’яті TLC ємністю 1 Тб і продемонструвала зразки на саміті Flash Memory Summit, який проходив 8-10 серпня в Санта-Кларі.
Компанія заявила, що її технологічна конкурентоспроможність, накопичена завдяки успіху найвищої в світі 238-шарової NAND, яка вже знаходиться в масовому виробництві.
Заявлено, що 321-шарова пам’ять TLC NAND ємністю 1 Тб підвищує продуктивність на 59% у порівнянні з попереднім поколінням 238-шарової пам’яті 512 Гб завдяки розвитку технології, яка дозволила розміщувати більше комірок і більшу ємність на одному чипі.
З моменту впровадження ChatGPT, що прискорило зростання ринку генеративного АІ, попит на високопродуктивні та ємнісні продукти пам’яті, які можуть обробляти більше даних у більш швидкому темпі, стрімко зростає.
Відповідно, на виставці FMS SK hynix також представила рішення NAND наступного покоління, оптимізовані для такого попиту на АІ, в тому числі корпоративний SSD з інтерфейсом PCIe Gen5 і UFS 4.0.
Компанія очікує, що ці продукти досягнуть найкращої в галузі продуктивності, щоб повністю задовольнити потреби клієнтів з акцентом на високу продуктивність.
SK hynix також оголосила, що розпочала розробку наступного покоління PCIe Gen6 та UFS 5.0, використовуючи вдосконалену технологію розробки рішень, яку вона отримала завдяки цим продуктам, і висловила своє прагнення бути лідером у цій галузі.
Юнгдал Чой (Jungdal Choi), керівник підрозділу з розробки NAND, під час свого виступу зазначив, що компанія очікує, що розробка 321-шарового продукту, п’ятого покоління 4D NAND, допоможе компанії зміцнити своє технологічне лідерство в області NAND. «Завдяки своєчасному впровадженню високопродуктивної та ємної NAND ми будемо прагнути відповідати вимогам епохи штучного інтелекту і продовжувати лідирувати в галузі інновацій», наголосив він.
Компанія планує завершити розробку 321-шарового продукту і почати масове виробництво з першої половини 2025 року.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
