Южнокорейский чипмейкер, ранее в этом месяце объявивший о создании 72-слойной TLC 3D NAND, теперь представил 8-гигабитный чип GDDR6 DRAM.
Новый продукт работает со скоростью ввода-вывода 16 Гб/с на каждый контакт — в два раза быстрее, чем память предшествующего поколения, GDDR5, при этом ее рабочее напряжение было снижено на 10%. Вместе с будущей высокоуровневой графической картой он сможет обрабатывать до 768 ГБ графических данных в секунду.
Массовое производство карт с GDDR6 DRAM, изготовленной по 20-нанометровой технологии, SK Hynix планирует начать в 2018 г. После этого она заменит GDDR5 и GDDR5X в видеокартах премиального сегмента. Тогда же должны начать выпуск GDDR6 основные конкуренты компании, Samsung Electronics и Micron.
Спрос на GDDR, вероятно продолжит расти с прогрессом искусственного интеллекта, появлением дисплеев более высокого разрешения и самоуправляемых машин. По данным Gartner, средняя ёмкость памяти в графических картах будет 2,2 ГБ в этом году и 4,1 ГБ в 2021 г., увеличиваясь в год на 17%.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
