`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Сегнетоэлектрическая память от стартапа конкурирует с продукцией лидера

+11
голос

Ferroelectric Memory Co. (FMC), Дрезден, Германия, представила на конференции Semicon Europa в Гренобле, Франция, свой массив энергонезависимой КМОП-памяти 64 Кбит, выполненной по технологии 28 нм и бросила конкурентам перчатку в качестве претендента обеспечить процесс 22FDX (22 nm Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI)) с опцией встроенной памяти.

Компания, вышедшая из стен «Нано- и микро- лаборатории» (NaMLab) в Техническом университете Дрездена, использует недавно обнаруженный сегнетоэлектрический эффект в кремнии с примесью двуокиси гафния. Компания добилась прогресса за последний год в создании гафниевой сегнетоэлектрической памяти, выбрав ее в качестве дизайна для встраиваемой энергонезависимой памяти для процессов 28 нм и ниже.

Поскольку тонкая пленка оксида гафния используется в качестве диэлектрика в передовых КМОП-процессах, то это означает, что технология имеет значительно уменьшенную стоимость в плане масок и технологических стадий по сравнению со встроенной флэш-памятью и магнитным ОЗУ. Кроме того, сегнетоэлектрическая память эффективна с точки зрения геометрического объема по сравнению с этими альтернативами и управляется полем, а не током, что делает ее более энергоэффективной.

Исследовательская группа из FMC и Globalfoundries должны описать, как сегнетоэлектрические полевые транзисторы были интегрированы с коммерчески доступной платформой Globalfoundries на базе 28-нанометровой технологии «затвор первый» high-k metal gate КМОП с низким энергопотреблением. Стек затвора FeFET (сегнетоэлектрический полевой транзистор) на основе гафния может быть оптимизирован независимо от технологии 28 нм, и это делает возможным смешанное размещение устройств КМОП и FeFET в той же схеме. Были продемонстрированы способность хранения данных для высоких температурах (≤250 °С) и работоспособность до 10 ^ 5 циклов.

Напряжение схемы записи/считывания в настоящее время находится в пределах от 3 В до 5 В при толщине пленок диоксида гафния 10 нм. Эти напряжения будут масштабироваться с толщиной и будут снижены при дальнейшей оптимизации и толщинах пленок вплоть до 5 нм.

Технология переносится на технологии «затвор последний» плавниковых FET (FinFET). «Переход на технологию 22FDX будет происходить в 2017 году в зависимости от финансирования и ресурсов», - сказал исполнительный директор компании Стефан Мюллер (Stefan Mueller).

Сегнетоэлектрическая память от стартапа конкурирует с продукцией лидера

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT