| 0 |
|
Универсальная память, которая одновременно быстра, энергоэффективна и энергонезависима разрабатывается исследовательской группой под руководством Хао Мена (Hao Meng) из A*STAR Data Storage Institute.
Исследователи экспериментировали со специальным классом универсальной памяти, известной как магнитная с переносом спинового момента память с произвольным доступом (Spin Torque Transfer MRAM). В типичном случае она состоит из двух магнитных пленок, разделенных изолирующим слоем. Если направления магнитного поля в пленках параллельны, то сопротивление низкое, в противном случае – высокое. Наличие или отсутствие бита данных определяется путем измерения сопротивления. Направление магнитного поля может переключаться путем переноса спинового момента в магнитные домены пленки с помощью спин-поляризованного тока.
Хао Мен с сотрудниками сосредоточились на ячейке, сделанной из магнитной пленки CoFeB, которая обладает естественно намагниченностью, направленной вне плоскости пленки. Они обнаружили, что температура отжига, при которой достигается максимум разности сопротивлений, превышает температуру, необходимую для максимума термостабильности. Это крайне важная информация для инженеров, которые при разработке должны балансировать между этими двумя параметрами.
Более детально об этом исследовании читайте в блоге Леонида Бараша.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
