Samsung запускает массовое производство DRAM-памяти с интерфейсом HBM2

Samsung Electronics анонсировала запуск массового производства первой в индустрии DRAM-памяти на 4 ГБ, основанной на втором поколении интерфейса высокой пропускной способности памяти (HBM2). Новинка подходит для использования в области высокопроизводительных вычислений (HPC), передовых графических и сетевых систем, а также корпоративных серверов.

Как отмечают в компании, первая HBM2 DRAM-память на 4 ГБ обеспечивает семикратное увеличение скорости передачи данных в сравнении с лидером последнего поколения и является на сегодня самой быстрой в мире DRAM-памяти. Это обеспечит более высокую скорость отклика во время выполнения высокопроизводительных вычислительных задач, включая параллельные вычисления, рендеринг графики и машинное обучение.

Память базируется на 20-нанометровом техпроцессе производства и технологии сквозного вертикального соединения кристаллов (TSV). Чип HBM2-памяти создается путем присоединения буферной матрицы в верхней части и четырех 8-гигабитных ядер матрицы внизу. Таким образом, они вертикально соединяются с отверстиями, что предусмотрено технологией TSV. Одиночная матрица HBM2 объемом 8 Гб содержит более 5000 отверстий, что превышает данный показатель у матрицы TSV DDR4 8 Гб более чем в 36 раз. Как результат — значительное улучшение скорости передачи данных в сравнении со старой технологией.

Пропускная способность нового чипа DRAM-памяти составляет 256 ГБ/с, что в два раза больше чипа HBM DRAM. Это эквивалентно семикратному увеличению в сравнении с пропускной способностью в 36 ГБ/с чипа GDDR5 DRAM, который обладает наивысшей скоростью передачи данных (9 ГБ/с) среди уже существующих чипов DRAM-памяти. Чип также обладает высокой энергоэффективностью, которая стала возможной благодаря удвоению пропускной способности на ватт в сравнении с решениями GDDR5 4 Гб и внедрению функциональности кода исправления ошибок для обеспечения большей надежности.

Samsung планирует представить до конца этого года HBM2 DRAM-память объемом 8 ГБ. Использование HBM2 DRAM-памяти емкостью 8 ГБ в графических картах позволит дизайнерам получить 95% экономиюй пространства в сравнении с GDDR5 DRAM.

Компания будет последовательно наращивать объемы производства новой HBM2 DRAM-памяти объемом 8 ГБ в течение этого года для удовлетворения ожидаемого роста спроса на рынке сетевых систем и серверов.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365