Samsung та SK Hynix вкладаються у технології енергоспоживання чипів пам’яті

Як інформує DIGITIMES Asia, оскільки пам’ять типу HBM і DDR5 набуває все більшого значення у високопродуктивних обчисленнях, виробники пам’яті, такі як Samsung Electronics і SK Hynix, шукають способи зменшити енергоспоживання.

 

Проблеми енергоспоживання пам’яті в центрах обробки даних стають все більш очевидними при створенні моделей AI. Наприклад, на DRAM припадає 40% загального енергоспоживання платформи дата-центру на базі Nvidia A100. Тому постачальники пам’яті співпрацюють з науковими колами, інвестуючи в технології наступного покоління для зменшення енергоспоживання. Варто зазначити, що зі збільшенням кількості шарів збільшується потужність, яку споживає HBM.

 

На основі технології Compute Express Link компанія Samsung розробила 16-гігабайтну оперативну пам’ять DDR5 DRAM за 12-нм технологічним процесом, яка покращила енергоспоживання на 23% порівняно з попереднім поколінням. Samsung працює з Сеульським національним університетом над подальшим зниженням енергоспоживання пам’яті.

 

SK Hynix представила LPDDR5X, в якій застосовано технологію High-K Metal Gate (HKMG) для мобільних DRAM. Оскільки матеріал High-K має приблизно в п’ять разів вищу діелектричну проникність, ніж у звичайної ізоляційної плівки SiON він дозволяє утримувати в п’ять разів більше заряду при тій самій площі та товщині, а також допомагає зменшити витік струму. Завдяки контролю струму витоку, LPDDR5X від SK Hynix забезпечує 33% приріст швидкості та більш ніж 20% зниження енергоспоживання порівняно з попереднім поколінням.

 

Крім того, південнокорейські дослідницькі інститути активно вивчають нові технології, щоб покращити енергоспоживання порівняно з продуктивністю. Сеульський національний університет представив технологію DRAM Translation Layer, яка, як очікується, знизить енергоспоживання DRAM на 31,6%.